近日,瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅(SiC)MOSFET产品,分别为650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET,现已完成工规级可靠性认证(JEDEC)。
这两款产品采用TOLL(TO-leadless)封装,能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求,帮助高性能电源提高能效和功率密度,并改善电磁干扰(EMI),简化PCB设计。
众所周知,SiC器件比Si器件具有明显的优势,包括:更低损耗、更高频率、更低的EMI、耐受更高工作温度和更可靠。
TOLL是一种表面贴装型封装,瞻芯电子的TOLL封装产品投影尺寸为10.10 mm x 11.88 mm,对比TO263-7(D2PAK 7)封装,PCB占用面积减少20%。而且,它的外形厚度仅为2.40 mm,比TO263-7(D2PAK 7)封装的体积小60%。
当性能更优的SiC MOSFET采用TOLL封装后,不仅显著减小体积、降低损耗,而且对比TO263-7(D2PAK 7)封装,背面金属片的尺寸更大,散热性能更好。除了尺寸更小,TOLL封装也是开尔文源极(Kelvin source)配置(4引脚型封装),能减小封装中源极线的电感,来抑制开关时产生的振荡,门极噪声更低,降低了开关损耗,有利于发挥MOSFET高速开关的性能优势。
IV1Q06040L1,IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET,主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷,能显著降低开关损耗,且适应-55~175°C工作温度范围。
封装特性:
适合于更高开关频率应用(实现高功率密度)
因具有较大尺寸的后面金属片,可降低器件温度
比TO-263-7L封装,厚度更低,占用PCB面积更小
比TO-263-7L封装,源电感更低
应用领域:
光伏/Solar
储能/ESS&UPS
数据中心电源/Datacenter Power
工业与医疗电源/Industrial&Medical Power
电机驱动/Motor Drives
通信电源/Telecom Power